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肖特基二极管P沟道MOS管NTLJF3117P(−20V\−4.1A)


介绍

Power MOSFET and
Schottky Diode
−20 V, −4.1 A, P−Channel, with 2.0 A
Schottky Barrier Diode, 2x2 mm,
μCoolTM Package

特性

 • FETKYTM Configuration with MOSFET plus Low Vf Schottky Diode
• μCoolTM Package Provides Exposed Drain Pad for Excellent
Thermal Conduction
• 2x2 mm Footprint Same as SC−88 Package Design
• Independent Pinout Provides Circuit Design Flexibility
• Low Profile (< 0.8 mm) for Easy Fit in Thin Environment
• High Current Schottky Diode: 2 A Current Rating
• This is a Pb−Free Device

生产厂商:ON Semiconductor
 
datasheet:
NTLJF3117P-D.pdf
下载: pdf 文件

 

 


 
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