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肖特基二极管P沟道MOS管MC3117-20V


介绍

These   miniature   surface   mount   MOSFET   uses a   dvance
Trench   process,low   RDS(ON)   assures    minimal   power 
loss   and   converts   energy.  Making   this   device   idea   for 
use i  n p   ower m   anagement c   ircuit.

特性

MOSFET   

•  VDS (V) = -20V
•   ID(A) = -4.5A  (VGS = -4.5V) 
•   RDS(on) = 0.085 ohm @ VGS = -4.5V
•   RDS(on) = 0.100 ohm@ VGS = -2.5V
•  RDS(on) = 0.120 ohm@ VGS = -1.8V

Schottky
•  Diode
•  VR (V) = 20V
•  IF(A) = 1.0A  
•  VF(TYP) = 0.425 V@ 0.5A

 
datasheet:
MC3117 SPEC.pdf
下载: pdf 文件

 

 


 
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