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1Gb NAND Flash / 512Mb DDR(107/130/137ball)



fidelix
fidelix 

 

Fidelix公司的mcp 参数介绍(同hynix,三星等基本相同,可以相互兼容)

􀂄 Density   nand flash– 1 Gbit 

– Input / Output Bus Width: 8-bits / 16-bits

– Page Size:

– x8  1 Gbit: (2048 + 64) bytes; 64-byte spare area

– x16 1 Gbit: (1024 + 32) words; 32-word spare area

– Block Size: 64 Pages

– x8 1 Gbit: (128k + 4k) bytes

– x16 1 Gbit: (64k + 2k) words

– Plane Size:  1 Gbit: 1024 Blocks per Plane or (128M + 4M) bytes

Performance

􀂄 Page Read / Program

– Random access: 25 μs (Max) (FMND1GxxS3S)

– Sequential access: 45 ns (Min)

– Program time / Multiplane Program time: 300 μs (Typ)

􀂄 Block Erase

– Block Erase time: 3.0 ms (Typ)

– Device Size:

– 1 Gbit: 1 Plane per Device or 128 Mbyte

􀂄 NAND Flash Interface

– Open NAND Flash Interface (ONFI) 1.0 compliant

– Address, Data, and Commands multiplexed

􀂄 Supply Voltage

– 1.8V device: VCC = 1.7V ~ 1.95V

􀂄 Security

– One Time Programmable (OTP) area

– Serial number (unique ID)

– Hardware program/erase disabled during power transition

commands

– Supports Copy Back Program

– Supports Read Cache

􀂄 Electronic Signature

– Manufacturer ID: 01h

􀂄 Operating Temperature

– Commercial: 0°C to 70°C

– Extended: -30°C to 85°C

– Industrial: -40°C to 85°C

我们的MCP由以下优势:

 

 

1.     Nand flash 有自己的研发团队,有两家晶圆厂提供nand flash,有稳定的供货。

2.     DDR ,SDRAM由自己研发设计的,大大降低成本,产品早已量产,供货质量都有保障.

3.     有自己的design团队,具有长远的产品规划。

4.     第一代用powerchip nand flash50nm工艺的MCP已经批量供货给三星等韩国客户

5.     第二代用hynixnand flash 32nm工艺的MCP,高通方案上,已经在华为,中兴,pantech(高通子公司),鼎智等等公司验证

6.    价格优势

if you want to know more,can contact me with skype:zhang_dora,or QQ2541344368.or directly call me :15817241821

 


 
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