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P沟道MOS管FDN306P-1.8V


介绍

This P-Channel 1.8V specified MOSFET uses
Fairchild’s advanced low voltage PowerTrench process.
It has been optimized for battery power management
applications. 

特性

•  –2.6 A,  –12 V. RDS(ON) = 40 mΩ @ VGS = –4.5 V
  RDS(ON) = 50 mΩ @ VGS = –2.5 V
  RDS(ON) = 80 mΩ @ VGS = –1.8 V
•  Fast switching speed 
•  High performance trench technology for extremely
low RDS(ON) 
•  SuperSOTTM -3 provides low RDS(ON)  and 30% higher
power handling capability than SOT23 in the same
footprint

 
datasheet:
FDN306P.pdf
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