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P沟道MOS管Si2333DS-12V


特性

• TrenchFET Power MOSFET

product summary
VDS (V)   rDS(on) (Ω)       ID (A)
 
-12 0.032 @ VGS = –4.5 V -5.3
0.042 @ VGS = –2.5 V - 4.6
  0.059 @ VGS = –1.8 V - 3.9

生产厂商:VISHAY
 
datasheet:
SI2333DS.pdf
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