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肖特基二极管P沟道MOS管FDFMA2P853


介绍

This device is designed specifically as a single package
solution for the battery charge switch in cellular handset
and other ultra-portable applications. It features a MOSFET
with low on-state resistance and an independently
connected low forward voltage schottky diode for minimum
conduction losses.
The MicroFET 2x2 package offers exceptional thermal
performance for it's physical size and is well suited to linear
mode applications.

特性

„ -3.0 A, -20V.   RDS(ON)  = 120 mΩ  @ VGS = -4.5 V
                           RDS(ON)  = 160 mΩ  @ VGS = -2.5 V
                           RDS(ON)  = 240 mΩ  @ VGS = -1.8 V
„ Low Profile - 0.8 mm maximun - in the new package
MicroFET 2x2 mm
Schottky:
„ VF < 0.46 V @ 500 mA

 
datasheet:
FDFMA2P853_Final.pdf
下载: pdf 文件

 

 
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