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超低反相泄漏电流P沟道MOS管RP1800


介绍

This device is designed specifically as a single package
solution for the battery charge switch in cellular handset
and other ultra-portable applications. It features a MOSFET
with low on-state resistance.
The MicroFET 2x2 package offers exceptional thermal
performance for it's physical size and is well suited to
linear mode applications.

特性

• One Chip Solution
• Low Chargeable Voltage (4.3V)
• Ultra-low Reverse Leakage Current (<10nA@25°C)
• Low Reverse Leakage Current in High Temperature
(<1µ µ µ µ µA@125°C)

生产厂商:RICHPOWER
 
datasheet:
RP1800-01P.pdf
下载: pdf 文件

 

 
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