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N沟道功率型MOSFET WNM2306-30V\2.8A


介绍

The WNM2306 uses advanced trench technology  and design to
provide excellent RDS(ON) with low  gate charge. This device is
suitable for use in  DC-DC conversion applications. Standard
Product WNM2306 is Pb-free.

特性

V(BR)DSS RDS(on)Typ IDMax
30 V 57 mΩ @  10 V 3.5A
94 mΩ @  4.5 V 2.8 A

 

产厂商:Will Semiconductor

datasheet:
WNM2306-3TR.pdf
下载: pdf 文件

 


 
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