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双通道P沟道MOS管WPMD2010(-20V\-3.1A)


介绍

The WPMD2010 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is suitable for use in DC-DC conversion applications. Standard Product WPMD2010 is Pb-free.

特性

V(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max
−20 V 75mΩ@ −4.5V −3.1A

101mΩ@ −2.5V

 
生产厂商:Will Semiconductor
 
datasheet:
WPMD2010_1.0.pdf
下载: pdf 文件

 

 


 
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