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双路功率P沟道MOSFET NTLJD3115P(−20V\−4.1A)


介绍

Power MOSFET
−20 V, −4.1 A, μCool Dual P−Channel,
2x2 mm WDFN Package

特性

• WDFN Package Provides Exposed Drain Pad for Excellent Thermal
Conduction
• 2x2 mm Footprint Same as SC−88
• Lowest RDS(on) Solution in 2x2 mm Package
• 1.8 V RDS(on) Rating for Operation at Low Voltage Gate Drive Logic
Level
• Low Profile (< 0.8 mm) for Easy Fit in Thin Environments
• Bidirectional Current Flow with Common Source Configuration
• This is a Pb−Free Device

生产厂商:ON Semiconductor

datasheet:
NTLJD3115P.pdf
下载: pdf 文件

 


 
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