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N沟道MOS场效应管SSM3K35MFV(-20V\-180mA\20Ω)


介绍

○ High-Speed Switching Applications
○ Analog Switch Applications

特性

• 1.2 V drive
• Low ON-resistance : Ron = 20 Ω (max) (@VGS = 1.2 V)
: Ron = 8 Ω (max) (@VGS = 1.5 V)
: Ron = 4 Ω (max) (@VGS = 2.5 V)
: Ron = 3 Ω (max) (@VGS = 4.0 V)

产厂商:TOSHIBA 

datasheet:
SSM3K35MFV_en_datasheet_080527.pdf
下载: pdf 文件

 

 
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